{"product_id":"ge-is200vaich1cbr-mark-vi-analog-input-module","title":"وحدة إدخال تناظرية GE IS200VAICH1CBR Mark VI","description":"\u003ch2\u003eGE IS200VAICH1CBR Mark VI VME وحدة إدخال تناظرية\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eتعمل \u003cstrong\u003eGE IS200VAICH1CBR\u003c\/strong\u003e، المُدرجة أيضًا باسم لوحة الإدخال التناظرية \u003cstrong\u003eIS200VAICH1C\u003c\/strong\u003e، كمكوّن مخصص لاكتساب الإشارات التناظرية ومعالجتها ضمن منصات التحكم بالتوربينات GE Mark VI Speedtronic.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eمواصفات الأجهزة\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالطراز\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS200VAICH1CBR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE Fanuc \/ General Electric\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة الأمريكية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.3 كجم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 سم × 15.3 سم × 6.8 سم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-40 إلى +85 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eيُزوَّد بالطاقة عبر اللوحة الخلفية VME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eنواة المعالجة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAMD Ryzen Embedded V1000\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eسعة الذاكرة والتخزين\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eذاكرة RAM DDR4 بسعة تصل إلى 8GB، وذاكرة eMMC بسعة 64GB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالامتثال لمعايير السلامة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eمتوافق مع IEC 61508، ومعتمد وفق SIL 3\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eواجهة الناقل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eتجميعة رف VMEbus قياسية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eسرعة اتصالات ناقل اللوحة الخلفية وتوسعة كثافة الإدخال\/الإخراج\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتعالج لوحة الواجهة IS200VAICH1CBR الحلقات التناظرية الميدانية عبر رف نظام VME. وتحول المحولات التناظرية إلى الرقمية الداخلية إشارات التيار والجهد الواردة إلى قيم رقمية، مع الحفاظ على سرعة عالية لاتصالات ناقل اللوحة الخلفية عبر هيكل التحكم Mark VI. وتسرّع إمكانات المعالجة المدمجة معدل نقل بيانات القياس عن بُعد، مما يتيح توسيع كثافة الإدخال\/الإخراج عبر تكوينات معقدة متعددة الرفوف. كما تتيح توافقية ذاكرة البرنامج الثابت الفلاش الديناميكية مزامنة البرامج أثناء التشغيل، مع الحفاظ على دورات مسح حتمية آنية لروتينات مراقبة التوربينات الحرجة.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة الشائعة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: ما الاحتياطات اللازمة فيما يتعلق بأحمال التيار على اللوحة الخلفية VME أثناء التبديل أثناء التشغيل؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: يجب على المهندسين فصل الطاقة عن رف VME المحدد أو فتحة الوحدة قبل استخراج اللوحة، لمنع انقطاع اتصالات ناقل اللوحة الخلفية وظهور أقواس كهربائية عابرة عبر الموصلات الطرفية.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف تتحقق اللوحة من سلامة القنوات التناظرية قبل نقل البيانات الميدانية؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: تنفذ دوائر التشخيص المدمجة فحوصات آنية للدوائر المفتوحة، واكتشاف المستشعرات خارج النطاق، والتحقق من جهد المعايرة الداخلي قبل نشر القيم إلى المعالج الرئيسي.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التركيب الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eأدخل الوحدة IS200VAICH1CBR في فتحة رف VME المخصصة لها، مع محاذاة موجهات حافة البطاقة بعناية مع مساري الهيكل العلوي والسفلي. ثبّت اللوحة بإحكام في موصلات اللوحة الخلفية VME الخلفية من خلال تطبيق ضغط متساوٍ على مقابض اللوحة الأمامية، ثم أحكم ربط مسماري التثبيت العلوي والسفلي لضمان استمرارية التأريض مع الهيكل.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eوجّه كابلات المستشعرات الميدانية عبر مسارات الأسلاك المخصصة، مع ضمان مسافة فصل لا تقل عن 200 مم عن خطوط التيار المتردد ذات الجهد العالي. صِل أسلاك الإشارة بلوحة الكتل الطرفية، مع التأكد من إنهاء جميع واقيات حلقات 4-20 mA عند ناقل تأريض اللوحة الرئيسية للحد من الضوضاء الكهرومغناطيسية.\u003c\/p\u003e","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224634753336,"sku":"IS200VAICH1CBR","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/IS200VAICH1CBR.jpg?v=1760145423","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/ar\/products\/ge-is200vaich1cbr-mark-vi-analog-input-module","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}