{"product_id":"ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","title":"لوحة واجهة الجسر GE IS210AEBIH2BE من Mark VI","description":"\u003ch2\u003eوحدة واجهة جسر الطاقة البديلة من سلسلة Mark VI ‏GE IS210AEBIH2BE\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eتم إعدادها لربط إشارات تحويل الطاقة وتنسيق النظام في أنظمة التحكم بتوربينات الرياح Mark VI، وتوفر \u003cstrong\u003eGE IS210AEBIH2BE\u003c\/strong\u003e (لوحة دوائر واجهة جسر الطاقة البديلة \u003cstrong\u003eIS210AEBI\u003c\/strong\u003e) تنفيذًا ماديًا\/كهربائيًا مباشرًا.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eمواصفات الأجهزة\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالطراز\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS210AEBIH2BE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (GE Fanuc)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة الأمريكية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.5 كجم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 سم x 15.3 سم x 6.8 سم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-30 إلى 65 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eتعمل بالطاقة من ناقل اللوحة الخلفية للنظام\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمعالج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eARM Cortex-A9\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالذاكرة المدمجة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eذاكرة RAM ‏DDR3 بسعة 1 جيجابايت، وذاكرة فلاش eMMC بسعة 8 جيجابايت\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eواجهات الإدخال\/الإخراج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eإدخال\/إخراج رقمي وتماثلي\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالحماية البيئية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eمطلية بطبقة واقية عازلة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eتوافق ذاكرة الفلاش للبرنامج الثابت واتصالات الناقل في الوقت الفعلي\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتستخدم اللوحة معالج ARM Cortex-A9 مدمجًا مقترنًا بذاكرة RAM ‏DDR3 بسعة 1 جيجابايت وذاكرة فلاش eMMC بسعة 8 جيجابايت للحفاظ على حلقات تحكم حتمية بين أجهزة إلكترونيات القدرة واللوحة الخلفية الرئيسية للنظام. تُجرى عمليات التحقق من توافق ذاكرة الفلاش للبرنامج الثابت عند بدء التشغيل، إذ تتحقق من صور النظام المحلية مقابل بروتوكولات اتصال اللوحة الخلفية قبل إنشاء مسارات نشطة لتبادل البيانات. بالإضافة إلى ذلك، تحمي الطبقة الواقية العازلة جميع المكونات المركبة على السطح، وتحمي مسارات الإشارة من الرطوبة الجوية، وإجهاد دورات الحرارة، والتدهور الناتج عن الجسيمات العالقة في الهواء الصناعي.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة الشائعة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف تتعامل بنية الذاكرة المدمجة مع انقطاعات الطاقة أثناء تشغيل النظام؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: تخزن اللوحة معلمات وقت تشغيل النظام النشطة في ذاكرة RAM ‏DDR3 بسعة 1 جيجابايت، مع الحفاظ على صور البرنامج الثابت غير المتطايرة وملفات التشغيل وسجلات الأحداث في ذاكرة فلاش eMMC بسعة 8 جيجابايت، مما يمنع فقدان البيانات عند حدوث انقطاع كامل للطاقة.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: ما الاحتياطات اللازمة فيما يتعلق بالطبقة الواقية العازلة أثناء الصيانة أو المناولة؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: يجب على الفنيين التعامل مع لوحة الدوائر وهم يرتدون أساور معصم مؤرضة للحماية من الكهرباء الساكنة (ESD)، وذلك لحماية مكونات CMOS الموجودة أسفلها. تجنب استخدام المذيبات الكيميائية أو المنظفات الكاشطة على سطح البطاقة، لأن ذلك يضر بالطبقة الواقية العازلة.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التركيب الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eأولًا، أوقف تشغيل الطاقة عن خزانة التحكم وفرّغ جميع الجهود المتبقية عبر مكونات تحويل الطاقة المجاورة قبل الوصول إلى حامل البطاقات. حاذِ لوحة الدوائر بعناية مع فتحات التوجيه في الحاوية، وطبّق ضغطًا متساويًا على طول الحافة الأمامية حتى تثبت موصلات اللوحة الخلفية بالكامل في مكانها. بعد ذلك، أحكم ربط مسامير التثبيت العلوية والسفلية لضمان الثبات الميكانيكي وإنشاء نقطة اتصال تأريض للهيكل منخفضة الممانعة. مرّر جميع كابلات الإدخال\/الإخراج التناظرية والرقمية الواردة داخل حوامل أسلاك محمية بعيدًا عن خطوط التيار المتردد عالية القدرة للحد من التداخل الكهرومغناطيسي. وأخيرًا، صِل دروع الكابلات مباشرة بقضيب التأريض الأرضي المخصص باستخدام مشابك تأريض من الفولاذ المقاوم للصدأ.\u003c\/p\u003e","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224723095864,"sku":"IS210AEBIH2BE","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/658.1.jpg?v=1790215795","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/ar\/products\/ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}