{"product_id":"ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","title":"GE IS210AEBIH2BE Mark VI կամրջի ինտերֆեյսի պլատա","description":"\u003ch2\u003eGE IS210AEBIH2BE Mark VI շարքի այլընտրանքային էներգիայի կամրջի ինտերֆեյսի մոդուլ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eԿազմաձևված Mark VI հողմատուրբինների կառավարման համակարգերում էներգիայի փոխակերպման ազդանշանների ինտերֆեյսավորման և համակարգի համակարգման համար՝ \u003cstrong\u003eGE IS210AEBIH2BE\u003c\/strong\u003e-ն (\u003cstrong\u003eIS210AEBI\u003c\/strong\u003e այլընտրանքային էներգիայի կամրջի ինտերֆեյսի PCB) ապահովում է անմիջական ֆիզիկական\/էլեկտրական աշխատանքը։\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eՍարքաշարի բնութագրեր\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eՊարամետր\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eԲնութագիր\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՄոդել\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS210AEBIH2BE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eԱպրանքանիշ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (GE Fanuc)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eԾագում\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eԱՄՆ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՔաշ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.5 կգ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՉափեր\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 սմ x 15.3 սմ x 6.8 սմ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eԱշխատանքային ջերմաստիճան\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-30-ից մինչև 65 աստիճան C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eԷներգիայի սպառում\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eՍնուցվում է համակարգի backplane ավտոբուսից\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՊրոցեսոր\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eARM Cortex-A9\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՆերկառուցված հիշողություն\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1 GB DDR3 RAM, 8 GB eMMC Flash\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eI\/O ինտերֆեյսներ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eԹվային և անալոգային I\/O\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eՇրջակա միջավայրի պաշտպանություն\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eՊաշտպանիչ ծածկույթով\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eFirmware Flash-ի համատեղելիություն և իրական ժամանակի ավտոբուսային հաղորդակցություն\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eՍալիկն օգտագործում է ARM Cortex-A9 ներկառուցված պրոցեսոր՝ 1 GB DDR3 RAM-ի և 8 GB eMMC flash պահեստավորման հետ միասին՝ էներգետիկ էլեկտրոնիկայի սարքավորման և համակարգի հիմնական backplane-ի միջև դետերմինացված կառավարման ցիկլերը պահպանելու համար։ Firmware flash-ի համատեղելիության ստուգումները կատարվում են միացման ժամանակ՝ ակտիվ տվյալների փոխանակման ուղիներ հաստատելուց առաջ տեղային համակարգի պատկերները backplane-ի հաղորդակցման արձանագրությունների հետ համեմատելով։ Բացի այդ, մակերևույթին տեղադրված բոլոր բաղադրիչների վրա нанесված պաշտպանիչ ծածկույթը պաշտպանում է ազդանշանային ուղիները մթնոլորտային խոնավությունից, ջերմային ցիկլավորման առաջացրած լարվածությունից և արդյունաբերական օդակաթիլային մասնիկների քայքայիչ ազդեցությունից։\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eՀաճախ տրվող հարցեր\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eՀ. Ինչպե՞ս է ներկառուցված հիշողության ճարտարապետությունը կառավարում էլեկտրամատակարարման ընդհատումները համակարգի աշխատանքի ընթացքում։\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eՊ. Սալիկը ակտիվ համակարգային աշխատանքի պարամետրերը պահպանում է 1 GB DDR3 RAM-ում՝ միաժամանակ ոչ անկայուն firmware-ի պատկերները, աշխատանքային պրոֆիլները և իրադարձությունների մատյանները պահպանելով 8 GB eMMC flash պահեստում, ինչը կանխում է տվյալների կորուստը էլեկտրամատակարարման լիակատար կորստի դեպքում։\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eՀ. Ի՞նչ նախազգուշական միջոցներ են անհրաժեշտ պահպանիչ ծածկույթի հետ կապված սպասարկման կամ տեղափոխման ժամանակ։\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eՊ. Տեխնիկները պետք է տպասալը աշխատեցնեն հողակցված ESD դաստակային ժապավեններով՝ հիմքում գտնվող CMOS բաղադրիչները պաշտպանելու համար։ Խուսափեք քարտի մակերեսին քիմիական լուծիչներ կամ հղկող մաքրող միջոցներ քսելուց, քանի որ դա վնասում է պաշտպանիչ ծածկույթի շերտը։\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eԴաշտային տեղադրման ուղեցույցներ\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eՍկզբում անջատեք կառավարման պահարանի սնուցումը և քարտերի խցիկին մուտք գործելուց առաջ լիցքաթափեք հարակից էներգիայի փոխակերպման բաղադրիչների վրայի բոլոր մնացորդային լարումները։ Զգուշորեն հավասարեցրեք տպասալը պատյանի ուղղորդող ակոսներին՝ առջևի եզրի երկայնքով հավասար ճնշում գործադրելով, մինչև backplane-ի միակցիչներն ամբողջությամբ ամրակայվեն։ Այնուհետև ձգեք վերևի և ներքևի ամրացման պտուտակները՝ մեխանիկական կայունությունը երաշխավորելու և շասսիի ցածր դիմադրությամբ հողակցման հպում հաստատելու համար։ Բոլոր մուտքային անալոգային և թվային I\/O մալուխները անցկացրեք պաշտպանված լարերի սկուտեղներով՝ բարձր հզորության AC գծերից հեռու, էլեկտրամագնիսական խանգարումները ճնշելու նպատակով։ Վերջում մալուխների էկրանները անմիջապես միացրեք հատուկ հողանցման ռելսին՝ չժանգոտվող պողպատից հողակցող սեղմակների միջոցով։","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224723095864,"sku":"IS210AEBIH2BE","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/658.1.jpg?v=1790215795","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/hy\/products\/ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}