{"product_id":"ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","title":"Placa de interface de ponte GE IS210AEBIH2BE Mark VI","description":"\u003ch2\u003eMódulo de Interface da Ponte de Energia Alternativa da Série Mark VI GE IS210AEBIH2BE\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eConfigurado para a interface de sinais de conversão de energia e a coordenação do sistema em sistemas de controle de turbinas eólicas Mark VI, o \u003cstrong\u003eGE IS210AEBIH2BE\u003c\/strong\u003e (\u003cstrong\u003eIS210AEBI\u003c\/strong\u003e PCB de Interface da Ponte de Energia Alternativa) fornece execução física\/elétrica direta.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eEspecificações de Hardware\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParâmetro\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eEspecificação\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eModelo\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS210AEBIH2BE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eMarca\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (GE Fanuc)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eOrigem\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEUA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeso\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0,5 kg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDimensões\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 cm x 15,3 cm x 6,8 cm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTemperatura de Operação\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-30 a 65 graus C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eConsumo de Energia\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAlimentado pelo barramento do backplane do sistema\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eProcessador\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eARM Cortex-A9\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eMemória Integrada\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1 GB de RAM DDR3, 8 GB de memória flash eMMC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eInterfaces de E\/S\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eE\/S digital e analógica\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eProteção Ambiental\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eCom revestimento isolante\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eCompatibilidade do Flash de Firmware e Comunicação em Barramento em Tempo Real\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eA placa utiliza um processador ARM Cortex-A9 integrado, associado a 1 GB de RAM DDR3 e 8 GB de armazenamento flash eMMC, para manter loops de controle determinísticos entre o hardware de eletrônica de potência e o backplane principal do sistema. As verificações de compatibilidade do flash de firmware são executadas na inicialização, validando as imagens do sistema local em relação aos protocolos de comunicação do backplane antes de estabelecer os canais ativos de troca de dados. Além disso, o revestimento isolante aplicado a todos os componentes montados em superfície protege as trilhas de sinal contra umidade atmosférica, estresse causado por ciclos térmicos e degradação por partículas industriais suspensas no ar.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003ePerguntas Frequentes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eP: Como a arquitetura de memória integrada lida com interrupções de energia durante a execução do sistema?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eR: A placa armazena os parâmetros ativos de execução do sistema na RAM DDR3 de 1 GB, enquanto mantém imagens de firmware não voláteis, perfis operacionais e registros de eventos no armazenamento flash eMMC de 8 GB, evitando a perda de dados durante eventos de perda total de energia.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eP: Quais precauções são necessárias em relação ao revestimento isolante durante a manutenção ou o manuseio?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eR: Os técnicos devem manusear a placa de circuito usando pulseiras antiestáticas (ESD) aterradas para proteger os componentes CMOS subjacentes. Evite aplicar solventes químicos ou produtos de limpeza abrasivos à superfície da placa, pois isso compromete a camada protetora de revestimento isolante.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eDiretrizes de Instalação em Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003ePrimeiro, desligue a alimentação do gabinete de controle e descarregue todas as tensões residuais nos componentes adjacentes de conversão de energia antes de acessar o compartimento de placas. Alinhe cuidadosamente a placa de circuito com as ranhuras-guia do gabinete, aplicando pressão uniforme ao longo da borda frontal até que os conectores do backplane sejam totalmente travados no lugar. Em seguida, aperte os parafusos de montagem superior e inferior para garantir a estabilidade mecânica e estabelecer um contato de aterramento do chassi de baixa impedância. Passe todos os cabos de E\/S analógicos e digitais de entrada em bandejas de fios blindadas, afastadas das linhas de CA de alta potência, para reduzir a interferência eletromagnética. Por fim, conecte as blindagens dos cabos diretamente ao barramento de aterramento dedicado usando grampos de aterramento de aço inoxidável.\u003c\/p\u003e","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224723095864,"sku":"IS210AEBIH2BE","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/658.1.jpg?v=1790215795","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/pt\/products\/ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}