{"product_id":"ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","title":"บอร์ดอินเทอร์เฟซบริดจ์ GE IS210AEBIH2BE Mark VI","description":"\u003ch2\u003eโมดูลอินเทอร์เฟซบริดจ์พลังงานทางเลือกซีรีส์ Mark VI รุ่น GE IS210AEBIH2BE\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eออกแบบมาสำหรับการเชื่อมต่อสัญญาณการแปลงพลังงานและการประสานงานระบบในระบบควบคุมกังหันลม Mark VI \u003cstrong\u003eGE IS210AEBIH2BE\u003c\/strong\u003e (\u003cstrong\u003eIS210AEBI\u003c\/strong\u003e แผงวงจรพิมพ์อินเทอร์เฟซบริดจ์พลังงานทางเลือก) ทำหน้าที่เชื่อมต่อทางกายภาพและทางไฟฟ้าโดยตรง\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eข้อมูลจำเพาะฮาร์ดแวร์\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eพารามิเตอร์\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eข้อมูลจำเพาะ\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eรุ่น\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS210AEBIH2BE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eแบรนด์\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (GE Fanuc)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eแหล่งกำเนิด\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eสหรัฐอเมริกา\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eน้ำหนัก\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.5 kg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eขนาด\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 cm x 15.3 cm x 6.8 cm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eอุณหภูมิขณะทำงาน\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-30 ถึง 65 deg C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eการใช้พลังงาน\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eรับพลังงานจากบัสแบ็กเพลนของระบบ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eโปรเซสเซอร์\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eARM Cortex-A9\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eหน่วยความจำบนบอร์ด\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eRAM DDR3 ขนาด 1 GB, แฟลช eMMC ขนาด 8 GB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eอินเทอร์เฟซ I\/O\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eI\/O ดิจิทัลและแอนะล็อก\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eการป้องกันสภาพแวดล้อม\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eเคลือบสารป้องกันความชื้น\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eความเข้ากันได้ของแฟลชเฟิร์มแวร์และการสื่อสารผ่านบัสแบบเรียลไทม์\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eบอร์ดนี้ใช้โปรเซสเซอร์ ARM Cortex-A9 บนบอร์ดที่ทำงานร่วมกับ RAM DDR3 ขนาด 1 GB และพื้นที่จัดเก็บแฟลช eMMC ขนาด 8 GB เพื่อรักษาลูปควบคุมแบบกำหนดเวลาแน่นอนระหว่างฮาร์ดแวร์อิเล็กทรอนิกส์กำลังกับแบ็กเพลนหลักของระบบ การตรวจสอบความเข้ากันได้ของแฟลชเฟิร์มแวร์จะทำงานเมื่อเปิดเครื่อง โดยตรวจสอบอิมเมจระบบภายในเครื่องเทียบกับโปรโตคอลการสื่อสารของแบ็กเพลนก่อนสร้างเส้นทางแลกเปลี่ยนข้อมูลที่ใช้งานอยู่ นอกจากนี้ การเคลือบสารป้องกันความชื้นบนส่วนประกอบติดตั้งบนพื้นผิวทั้งหมดช่วยป้องกันลายสัญญาณจากความชื้นในบรรยากาศ ความเค้นจากการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ และการเสื่อมสภาพจากอนุภาคในอากาศของโรงงานอุตสาหกรรม\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eคำถามที่พบบ่อย\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eถาม: สถาปัตยกรรมหน่วยความจำบนบอร์ดจัดการกับไฟฟ้าขัดข้องระหว่างการทำงานของระบบอย่างไร\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eตอบ: บอร์ดจะจัดเก็บพารามิเตอร์รันไทม์ที่ใช้งานอยู่ของระบบไว้ใน RAM DDR3 ขนาด 1 GB พร้อมเก็บอิมเมจเฟิร์มแวร์ โปรไฟล์การทำงาน และบันทึกเหตุการณ์ที่ไม่สูญหายเมื่อไม่มีไฟเลี้ยงไว้ในพื้นที่จัดเก็บแฟลช eMMC ขนาด 8 GB จึงป้องกันข้อมูลสูญหายเมื่อไฟฟ้าดับโดยสมบูรณ์\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eถาม: ต้องใช้ข้อควรระวังใดบ้างเกี่ยวกับสารเคลือบป้องกันความชื้นระหว่างการบำรุงรักษาหรือการจับถือ\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eตอบ: ช่างเทคนิคต้องจับแผงวงจรโดยสวมสายรัดข้อมือป้องกันไฟฟ้าสถิต ESD ที่ต่อกราวด์ เพื่อป้องกันส่วนประกอบ CMOS ที่อยู่ด้านล่าง หลีกเลี่ยงการใช้ตัวทำละลายเคมีหรือน้ำยาทำความสะอาดที่มีฤทธิ์กัดกร่อนกับพื้นผิวการ์ด เนื่องจากจะทำให้ชั้นเคลือบป้องกันความชื้นเสียหาย\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eแนวทางการติดตั้งภาคสนาม\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eขั้นแรก ปิดไฟที่ตู้ควบคุมและคายแรงดันตกค้างทั้งหมดที่อยู่ในส่วนประกอบแปลงพลังงานข้างเคียงก่อนเข้าถึงชุดติดตั้งการ์ด จัดแนวแผงวงจรให้ตรงกับร่องนำทางของตัวเครื่องอย่างระมัดระวัง แล้วออกแรงกดอย่างสม่ำเสมอตามแนวขอบด้านหน้าจนขั้วต่อแบ็กเพลนล็อกเข้าที่อย่างสมบูรณ์ จากนั้นขันสกรูยึดด้านบนและด้านล่างให้แน่น เพื่อรับประกันความมั่นคงทางกลและสร้างจุดสัมผัสกราวด์แชสซีที่มีอิมพีแดนซ์ต่ำ เดินสาย I\/O แอนะล็อกและดิจิทัลขาเข้าทั้งหมดในถาดสายแบบมีชีลด์ โดยแยกออกจากสาย AC กำลังสูงเพื่อระงับสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า สุดท้าย ต่อชีลด์สายเคเบิลเข้ากับรางกราวด์ดินโดยตรงโดยใช้แคลมป์กราวด์สเตนเลสสตีล\u003c\/p\u003e","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224723095864,"sku":"IS210AEBIH2BE","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/658.1.jpg?v=1790215795","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/th\/products\/ge-is210aebih2be-mark-vi-bridge-interface-board","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}