{"product_id":"master-controller-board-ge-is210aebih3bbc-mark-vi-vme","title":"บอร์ดควบคุมหลัก | GE IS210AEBIH3BBC Mark VI VME","description":"\u003ch2\u003eแผงควบคุมมาสเตอร์บัส VME GE IS210AEBIH3BBC Mark VI\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eออกแบบมาสำหรับการจัดการข้อมูลความเร็วสูงระหว่างตัวควบคุมระบบและการ์ด I\/O อุปกรณ์ต่อพ่วงในแพลตฟอร์มการจัดการกังหัน GE Mark VI \u003cstrong\u003eGE IS210AEBIH3BBC\u003c\/strong\u003e (\u003cstrong\u003eแผงควบคุมมาสเตอร์บัส VME IS210AEBIH3B\u003c\/strong\u003e) รองรับการทำงานทางกายภาพและทางไฟฟ้าโดยตรง แผงวงจรนี้ทำงานด้วยแกนประมวลผล ARM Cortex-A9 ในตัว เพื่อคงการจัดสรรบัสและรอบการทำงานที่มีความแน่นอน สถาปัตยกรรมนี้ประกอบด้วย RAM DDR3 ในตัวขนาด 1 GB และพื้นที่จัดเก็บแฟลช eMMC ขนาด 8 GB เพื่อประมวลผลเมตริกการวินิจฉัย พารามิเตอร์ระบบ และการกำหนดค่าฮาร์ดแวร์ที่ใช้งานอยู่โดยไม่มีความหน่วงของข้อมูล\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eข้อมูลจำเพาะฮาร์ดแวร์\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eพารามิเตอร์\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eข้อมูลจำเพาะ\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eรุ่น\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS210AEBIH3BBC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eแบรนด์\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (General Electric)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eแหล่งกำเนิด\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eสหรัฐอเมริกา\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eน้ำหนัก\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.3 กก.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eขนาด\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 ซม. x 15.3 ซม. x 6.8 ซม.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eอุณหภูมิขณะทำงาน\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-40 องศาเซลเซียสถึง +85 องศาเซลเซียส\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eการใช้พลังงาน\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eการใช้พลังงานมาตรฐานจากบัสแบ็กเพลน VME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eสถาปัตยกรรมโปรเซสเซอร์\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eARM Cortex-A9\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eหน่วยความจำระบบ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eRAM DDR3 ขนาด 1 GB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eพื้นที่จัดเก็บข้อมูลแบบไม่สูญหาย\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eพื้นที่จัดเก็บแฟลช eMMC ขนาด 8 GB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eโปรโตคอลอินเทอร์เฟซบัส\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eมาตรฐานตัวควบคุมมาสเตอร์ VMEbus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eแพลตฟอร์มระบบ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eระบบควบคุมแบบกระจาย Mark VI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eความเร็วการสื่อสารบัสแบ็กเพลนและการผสานรวมการควบคุม\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIS210AEBIH3BBC สร้างเส้นทางการรับส่งข้อมูลที่มีความหน่วงต่ำผ่านโครงสร้างบัสแบ็กเพลน VME ด้วยการเรียกใช้อัลกอริทึมตัวควบคุมมาสเตอร์แบบเรียลไทม์ อุปกรณ์นี้ประสานการซิงโครไนซ์นาฬิกา การกำหนดเส้นทางสัญญาณ และการตรวจสอบข้อขัดข้องระหว่างชุดประมวลผลกลางกับอินเทอร์เฟซ I\/O ภาคสนามแบบกระจาย ความเร็วการสื่อสารบนบัสแบ็กเพลนที่สูงช่วยป้องกันการชนกันของแพ็กเก็ต ทำให้ลูปป้อนกลับของกระบวนการมีเสถียรภาพ และรับประกันรอบการทำงานที่มีความแน่นอนซึ่งจำเป็นสำหรับการควบคุมกังหันอุตสาหกรรมขนาดใหญ่ การตรวจสอบความเข้ากันได้ของเฟิร์มแวร์แฟลชจะดำเนินการโดยอัตโนมัติระหว่างการจัดสรรบัสครั้งแรก เพื่อตรวจสอบให้แน่ใจว่าซอฟต์แวร์ระบบสอดคล้องกัน\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eคำถามที่พบบ่อย\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eถาม: โมดูลจัดการการจัดเก็บการกำหนดค่าในตัวอย่างไรเมื่อไฟฟ้าดับ\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eตอบ: แผงวงจรจะเขียนพารามิเตอร์การทำงาน อิมเมจเฟิร์มแวร์ และบันทึกการบูตลงในพื้นที่จัดเก็บแฟลช eMMC แบบไม่สูญหายขนาด 8 GB โดยตรง ช่วยคงข้อมูลระบบไว้โดยไม่ต้องพึ่งแบตเตอรี่สำรองภายนอก\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eถาม: ต้องใช้มาตรการป้องกันใดเกี่ยวกับการเสียบบัส VME\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eตอบ: วิศวกรต้องปิดไฟแร็กแบ็กเพลนก่อนเสียบหรือถอดแผงวงจร การสับเปลี่ยนขณะไม่มีไฟช่วยปกป้องการเชื่อมต่อพินทางกายภาพและป้องกันแรงดันไฟฟ้ากระชากบนบัสสื่อสาร\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eถาม: ตัวควบคุมนี้ทำงานภายในตู้ควบคุมที่มีความหนาแน่นสูงได้หรือไม่\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eตอบ: ได้ ขนาดกะทัดรัด (12 ซม. x 15.3 ซม. x 6.8 ซม.) และช่วงอุณหภูมิการทำงานที่กว้าง (-40 องศาเซลเซียสถึง +85 องศาเซลเซียส) ทำให้ติดตั้งในตู้ปิดอุตสาหกรรมที่มีอุปกรณ์หนาแน่นได้โดยไม่ต้องใช้ระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวแบบบังคับ\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eแนวทางการติดตั้งภาคสนาม\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eช่างเทคนิคต้องปฏิบัติตามมาตรการป้องกันไฟฟ้าสถิต (ESD) มาตรฐานเมื่อจับชุดอุปกรณ์ สวมสายรัดข้อมือป้องกันไฟฟ้าสถิตที่ต่อกราวด์เข้ากับแชสซีของแผงระหว่างการนำออกจากบรรจุภัณฑ์และการใส่แร็ก จัดแนวรางนำของแผงให้ตรงกับช่องในแชสซี VME อย่างแม่นยำ เพื่อป้องกันพินเสียรูปที่ชุดคอนเน็กเตอร์ด้านหลัง ดันแผงให้แน่นจนคันโยกยึดล็อกเข้าที่จนสุด จากนั้นขันสกรูยึดแบบไม่หลุดด้านบนและด้านล่างของแผงด้านหน้าให้แน่น เพื่อให้ความต่อเนื่องของกราวด์แชสซีสมบูรณ์และยึดฮาร์ดแวร์ไม่ให้เคลื่อนจากแรงสั่นสะเทือน ตรวจสอบรางจ่ายไฟแบ็กเพลนให้ถูกต้องก่อนเปิดระบบ\u003c\/p\u003e","brand":"GE FANUC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51224757698872,"sku":"IS210AEBIH3BBC","price":188.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0893\/1616\/3896\/files\/618_6ceb9316-a934-4b15-8bbb-9fd9d524280f.jpg?v=1790216603","url":"https:\/\/www.automodulexpert.com\/th\/products\/master-controller-board-ge-is210aebih3bbc-mark-vi-vme","provider":"AutoModuleXpert Ltd.","version":"1.0","type":"link"}