Võimsate pooljuhtide areng: ideaalset lülitit otsimas
Algusest peale on võimsate pooljuhtide arendamine keskendunud ideaalse lüliti leidmisele – sellise lüliti leidmisele, millel on madalaim sisse lülitamise ja lülituskadude tase, kõrgeim võimalik lülitusvõimsus ja lihtne juhtimisahel. Kuigi madalpinge rakendused on pidevalt kasu saanud arengutest, olid keskpinge kasutajad piiratud GTO-dega (värava väljalülitusega türistorid). Kuid kõrgema võimsuse jaoks mõeldud IGBT-de (isolatsiooniga värava bipolaartransistorid) ilmumine on toonud uue lootuse.
ABBi uurimustöö: areng GTO-st GCT-ni
ABB Šveitsis uuris uusi võimalusi, püüdes kasutada IGBT-de eeliseid suurema võimsuse jaoks, säilitades samal ajal GTO-de tugevused. See uurimistöö viis GCT (värava lülitusega türistor) väljatöötamiseni, mis on GTO evolutsioon. GCT tõi mitmeid täiustusi, sealhulgas uue väravaühenduse, täiustatud korpustehnoloogia, monoliitselt integreeritud dioodid ja lihtsustatud võimsusahela.
GCT saladus: juhtimisprobleemide ületamine
GCT lahendab GTO peamise probleemi – juhtimise väljalülitamise ajal. Traditsioonilised GTO-d kogesid ebastabiilsust üleminekul juhtivast olekust mittejuhtivasse olekusse, mis nõudis stabiilsuse tagamiseks snubber-ahelaid. GCT lahendab selle kõva juhtimise meetodiga, tagades stabiilse ja kiire väljalülituse ilma snubber-ahelate vajaduseta.
IGCT tehnoloogia: suur samm kõrgvõimsuskonverterites
ABBi IGCT (integreeritud värava lülitusega türistor) tehnoloogia tähistab olulist edusammu kõrgvõimsuskonverterites. Integreerides madala induktiivsusega juhtimisahelad, optimeerides räni tehnoloogiat ja parandades konverteri integreeritust, pakuvad IGCT-d mitmeid eeliseid, sealhulgas vähendatud kaod, väiksem suurus ja suurem töökindlus. Tehnoloogia võimaldab luua modulaarseid, skaleeritavaid konvertereid selgete ja koordineeritud arendusprotsessidega.
Integratsioon ja modulaarne disain: kõrgvõimsuskonverterite tulevik
IGCT tehnoloogia toob sisse kaks integratsioonitaset – monoliitne plaadil ja hübriidne GCT perifeerias. See integratsioon lihtsustab konverteri disaini, vähendab suurust ja parandab töökindlust. Modulaarne lähenemine laiendab ka rakenduste valikut, kus IGCT konverterid suudavad käsitleda võimsust vahemikus 250 kW kuni 100 MW.
Ahela keerukuse vähendamine: konverteri disaini lihtsustamine
GCT-d lülituvad välja nagu transistorid, välistades vajaduse snubber-komponentide järele, mida GTO konverterid vajavad. See lihtsustus vähendab ahela keerukust ja üldkulusid, muutes IGCT konverterid konkurentsivõimeliseks tavapäraste IGBT konverteritega.
IGCT konverterid töös: tõestatud töökindlus
Esimesed IGCT-d paigaldati ABB ehitatud seadmetesse, kõige silmapaistvam näide on 100 MW "Bremen" raudteesüsteemi ühendus. Need IGCT-d on töötanud alates 1996. aastast riketevabalt, näidates oma suurepärast töökindlust ja lihtsat seeriühendust.
IGCT tehnoloogia eelised: väärikas järglane GTO-le
IGCT tehnoloogia ühendab GTO-de ja IGBT-de tugevused, pakkudes kõrgeid pingetugevusi, madalaid kaod, kõrget lülitusvõimsust ja suurepärast töökindlust. Oma modulaarse disaini, lihtsustatud ahela ja kõrge efektiivsusega on IGCT tehnoloogia valmis olema ideaalne järglane GTO-dele kõrgvõimsusrakendustes.